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GD1400HFX170P2S
IGBT, HALF BRIDGE, 1.7KV/2.342KA, MODULE
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 173,780 $ |
| 6+ | 1 161,850 $ |
| 10+ | 1 150,260 $ |
| 26+ | 1 103,430 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1 173,78 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD1400HFX170P2S
Code Commande84AH5707
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current2.342kA
Continuous Collector Current2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation9.37kW
Power Dissipation Pd9.37kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Power Dissipation Pd
9.37kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.95V
Power Dissipation
9.37kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit