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GD150HFY120C2S
IGBT MODULE, 1.2KV, 291A ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 135,030 $ |
| 5+ | 132,580 $ |
| 10+ | 130,040 $ |
| 36+ | 128,760 $ |
| 60+ | 127,520 $ |
| 108+ | 122,500 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
135,03 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD150HFY120C2S
Code Commande25AK0614
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current291A
Continuous Collector Current291A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation1.102kW
Power Dissipation Pd1.102kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
291A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
1.102kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
291A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
1.102kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit