Imprimer la page
GD300HFY120C6S
IGBT Module, Half Bridge, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 53,190 $ |
5+ | 53,190 $ |
10+ | 53,190 $ |
25+ | 53,190 $ |
50+ | 53,190 $ |
100+ | 53,190 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
53,19 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD300HFY120C6S
Code Commande93AC7044
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current480A
DC Collector Current480A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation Pd1.613kW
Power Dissipation1.613kW
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins11Pins
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
480A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
1.613kW
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
480A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
1.613kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
11Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit