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GD50HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 66,180 $ |
| 5+ | 63,760 $ |
| 10+ | 61,300 $ |
| 48+ | 58,810 $ |
| 72+ | 56,130 $ |
| 120+ | 55,330 $ |
| 264+ | 54,140 $ |
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50HFX65C1S
Code Commande25AK0628
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current75A
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation205W
Power Dissipation Pd205W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation Pd
205W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation
205W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit