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GD75HFX170C1S
IGBT MODULE, 1.7KV, 139A ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
41 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 90,010 $ |
| 5+ | 88,380 $ |
| 10+ | 86,680 $ |
| 48+ | 85,820 $ |
| 72+ | 85,000 $ |
| 120+ | 81,670 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
90,01 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD75HFX170C1S
Code Commande25AK0633
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current139A
Continuous Collector Current139A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd559W
Power Dissipation559W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
139A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
559W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
139A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
559W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit