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GD75HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 72,510 $ |
| 5+ | 69,850 $ |
| 10+ | 67,170 $ |
| 48+ | 64,430 $ |
| 72+ | 61,480 $ |
| 120+ | 60,610 $ |
| 264+ | 59,320 $ |
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD75HFX65C1S
Code Commande25AK0634
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation258W
Power Dissipation Pd258W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
258W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
258W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit