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MD120HFR120C2S
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 896,260 $ |
| 5+ | 887,450 $ |
| 10+ | 878,900 $ |
| 36+ | 844,360 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
896,26 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantMD120HFR120C2S
Code Commande93AC7198
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.01ohm
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Power Dissipation Pd-
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
-
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
On Resistance Rds(on)
0.01ohm
Transistor Case Style
Module
Power Dissipation Pd
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit