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BD437
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Through Hole
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBD437
Code Commande25M7725
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation36W
Power Dissipation Pd36W
DC Collector Current4A
Transistor Case StyleTO-126
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE140hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min140hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BD437 is a NPN silicon complementary epitaxial-base Power Transistor in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.
- PNP complementary type is BD438
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Power Dissipation
36W
DC Collector Current
4A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
140hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
45V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation Pd
36W
Transistor Case Style
TO-126
DC Current Gain hFE
140hFE
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit