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805 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,960 $ |
10+ | 0,501 $ |
100+ | 0,442 $ |
500+ | 0,338 $ |
1000+ | 0,288 $ |
2500+ | 0,260 $ |
10000+ | 0,220 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
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4,80 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBD679
Code Commande24M0737
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd40W
Continuous Collector Current4A
Transition Frequency-
Power Dissipation40W
DC Collector Current4A
RF Transistor CaseSOT-32
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor Case StyleSOT-32
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min750hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BD679 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation
40W
RF Transistor Case
SOT-32
DC Current Gain hFE
750hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
750hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation Pd
40W
Transition Frequency
-
DC Collector Current
4A
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
SOT-32
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits