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BDX53B
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, TO-220, 3 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,890 $ |
| 10+ | 1,380 $ |
| 100+ | 0,859 $ |
| 500+ | 0,697 $ |
| 1000+ | 0,645 $ |
| 2500+ | 0,601 $ |
| 10000+ | 0,524 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,89 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBDX53B
Code Commande25M7710
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Transition Frequency-
Power Dissipation Pd60W
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Power Dissipation60W
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE Min750hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BDX53B is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
Applications
Industrial, Power Management, Audio
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation Pd
60W
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
750hFE
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Transition Frequency
-
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE Min
750hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BDX53B
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit