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PD57060-E
RF FET Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 82,130 $ |
| 5+ | 74,880 $ |
| 10+ | 67,630 $ |
| 25+ | 67,360 $ |
| 50+ | 67,100 $ |
| 100+ | 66,840 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantPD57060-E
Code Commande07AH6877
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id7A
Power Dissipation79W
Operating Frequency Min-
Power Dissipation Pd79W
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins-
RF Transistor CasePowerSO-10RF
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
79W
Power Dissipation Pd
79W
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
RF Transistor Case
PowerSO-10RF
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
7A
Operating Frequency Min
-
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
-
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit