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SCT011H75G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 110A, H2PAK
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT011H75G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant70 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM4720RL
Bandes découpées49AM4720
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 70 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 35,330 $ | 35,33 $ |
| Total Prix | 35,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 35,330 $ |
| 50+ | 33,210 $ |
| 100+ | 30,670 $ |
| 250+ | 28,630 $ |
| 500+ | 26,380 $ |
| 1000+ | 24,850 $ |
| 2500+ | 23,690 $ |
| 5000+ | 22,370 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT011H75G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant70 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM4720RL
Bandes découpées49AM4720
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation652W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
652W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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