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SCT019HU120G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 90A, HU3PAK
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
40 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 28,470 $ |
| 10+ | 26,680 $ |
| 25+ | 24,540 $ |
| 50+ | 22,810 $ |
| 100+ | 20,910 $ |
| 250+ | 19,620 $ |
| 500+ | 18,630 $ |
| 1200+ | 17,520 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
28,47 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT019HU120G3AG
Code Commande44AM8270
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
500W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits