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SCT019W120G3-4AG
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 90A, HIP247 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 37,970 $ |
| 10+ | 36,170 $ |
| 25+ | 35,410 $ |
| 60+ | 32,950 $ |
| 120+ | 31,610 $ |
| 270+ | 29,020 $ |
| 510+ | 28,410 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
37,97 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT019W120G3-4AG
Code Commande48AM4859
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation486W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
486W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits