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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT025H120G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète14AM7981
Mise en bobine14AM7980RL
Bandes découpées14AM7980
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 7 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 20,420 $ | 20,42 $ |
| Total Prix | 20,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 20,420 $ |
| 10+ | 14,490 $ |
| 25+ | 13,880 $ |
| 50+ | 13,250 $ |
| 100+ | 12,640 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 16,800 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT025H120G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète14AM7981
Mise en bobine14AM7980RL
Bandes découpées14AM7980
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
375W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
