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SCT027H65G3AG
SIL CARB MOSFET, SINGLE, N CHANNEL, 60A
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT027H65G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète14AM7983
Mise en bobine14AM7982RL
Bandes découpées14AM7982
Votre numéro de pièce
1 En Stock
1 disponibles sur {packagingType}
50 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 18,190 $ | 18,19 $ |
| Frais de mise en bobine | 5,00 $ | ||
| Total Prix | 23,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,190 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 12,290 $ |
| 2000+ | 11,920 $ |
| 4000+ | 11,540 $ |
| 6000+ | 11,000 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT027H65G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète14AM7983
Mise en bobine14AM7982RL
Bandes découpées14AM7982
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0393ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Spécifications techniques
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0393ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit