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SCT040H120G3AG
SIL CARB MOSFET, SINGLE, N CHANNEL, 40A
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040H120G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine04AM0272RL
Bandes découpées04AM0272
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 24,040 $ | 24,04 $ |
| Frais de mise en bobine | 5,00 $ | ||
| Total Prix | 29,04 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 24,040 $ |
| 50+ | 18,300 $ |
| 100+ | 15,820 $ |
| 250+ | 15,510 $ |
| 500+ | 15,180 $ |
| 1000+ | 14,870 $ |
| 2500+ | 14,560 $ |
| 5000+ | 14,240 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040H120G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine04AM0272RL
Bandes découpées04AM0272
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.054ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Spécifications techniques
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit