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SCT040TO65G3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040TO65G3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine19AM7207RL
Bandes découpées19AM7207
Votre numéro de pièce
29 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 13,740 $ | 13,74 $ |
| Total Prix | 13,74 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,740 $ |
| 10+ | 10,350 $ |
| 25+ | 9,460 $ |
| 50+ | 8,570 $ |
| 100+ | 7,680 $ |
| 250+ | 7,660 $ |
| 500+ | 7,650 $ |
| 1000+ | 7,380 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040TO65G3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine19AM7207RL
Bandes découpées19AM7207
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation288W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
288W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit