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SCT070H120G3-7
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 14,110 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1000
Multiple: 1000
14 110,00 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT070H120G3-7
Code Commande14AM7986
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.087ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation223W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.087ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
223W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits