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SCT070H120G3AG
SIL CARB MOSFET, SINGLE, N CHANNEL, 30A
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT070H120G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine12AM9887RL
Bandes découpées12AM9887
Votre numéro de pièce
4 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 18,200 $ | 18,20 $ |
| Frais de mise en bobine | 5,00 $ | ||
| Total Prix | 23,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,200 $ |
| 50+ | 12,670 $ |
| 100+ | 10,200 $ |
| 250+ | 10,000 $ |
| 500+ | 9,780 $ |
| 1000+ | 9,590 $ |
| 2500+ | 9,390 $ |
| 5000+ | 9,170 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT070H120G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine12AM9887RL
Bandes découpées12AM9887
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.087ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation223W
Operating Temperature Max175°C
Spécifications techniques
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.087ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
223W
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit