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SCT1000N170
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,350 $ |
| 10+ | 11,790 $ |
| 25+ | 11,050 $ |
| 50+ | 10,320 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT1000N170
Code Commande36AJ4506
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1ohm
On Resistance Rds(on)1ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd96W
Power Dissipation96W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
On Resistance Rds(on)
1ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
96W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
96W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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