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SCT10N120
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,160 $ |
| 10+ | 14,670 $ |
| 25+ | 10,120 $ |
| 50+ | 9,800 $ |
| 100+ | 9,500 $ |
| 250+ | 9,190 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT10N120
Code Commande07AH6931
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.5ohm
Drain Source On State Resistance0.5ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.5ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
150W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.5ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
200°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit