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SCTH35N65G2V-7
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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940 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,800 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
18,80 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH35N65G2V-7
Code Commande69AH2140
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation Pd
208W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits