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SCTH40N120G2V-7
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
13 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 33,340 $ |
| 10+ | 31,720 $ |
| 25+ | 30,670 $ |
| 50+ | 29,780 $ |
| 100+ | 28,930 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
33,34 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH40N120G2V-7
Code Commande45AJ7671
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.07ohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation Pd238W
Power Dissipation238W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
Power Dissipation
238W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
238W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits