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SCTH60N120G2-7
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 35 mohm, H2PAK
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH60N120G2-7
Code Commande74AJ1811
Votre numéro de pièce
Fiche technique
660 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 35,920 $ |
| 10+ | 33,700 $ |
| 25+ | 31,750 $ |
| 50+ | 29,850 $ |
| 100+ | 27,940 $ |
| 250+ | 26,620 $ |
| 500+ | 25,510 $ |
| 1000+ | 24,630 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH60N120G2-7
Code Commande74AJ1811
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation390W
Power Dissipation Pd390W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
390W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
390W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits