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SCTW70N120G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 63,740 $ |
| 5+ | 59,840 $ |
| 10+ | 55,950 $ |
| 25+ | 52,060 $ |
| 50+ | 50,740 $ |
| 100+ | 50,110 $ |
| 250+ | 49,560 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTW70N120G2V
Code Commande89AH1287
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd547W
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation547W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
547W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
91A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
HiP247
Power Dissipation Pd
547W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit