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SCTWA35N65G2V-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
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| 10+ | 13,220 $ |
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| 50+ | 12,830 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA35N65G2V-4
Code Commande74AJ1812
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation240W
Power Dissipation Pd240W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation Pd
240W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit