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SCTWA60N120G2-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 34,060 $ |
| 10+ | 29,110 $ |
| 25+ | 27,610 $ |
| 50+ | 26,940 $ |
| 100+ | 26,260 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA60N120G2-4
Code Commande57AJ5663
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.035ohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd389W
Power Dissipation389W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
389W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
389W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit