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STB11NK50ZT4
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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448 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,620 $ |
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2,62 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB11NK50ZT4
Code Commande33R1096
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.48ohm
Drain Source On State Resistance0.48ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The STB11NK50ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
0.48ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.48ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits