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STB24N60DM2
MOSFET, N-CH, 600V, 18A, 150DEG C, 150W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB24N60DM2
Code Commande69AH2672
Gamme de produitFDmesh II Plus
Fiche technique
759 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,220 $ |
| 10+ | 4,370 $ |
| 25+ | 4,060 $ |
| 50+ | 3,770 $ |
| 100+ | 3,470 $ |
| 250+ | 3,260 $ |
| 500+ | 3,050 $ |
| 1000+ | 2,700 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,22 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB24N60DM2
Code Commande69AH2672
Gamme de produitFDmesh II Plus
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
On Resistance Rds(on)0.175ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II Plus
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II Plus
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits