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STB24N60M6
MOSFET, N-CH, 600V, TO-263
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB24N60M6
Code Commande84AC2846
Gamme de produitMDmesh M6
Fiche technique
56 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,720 $ |
| 10+ | 3,990 $ |
| 25+ | 3,670 $ |
| 50+ | 3,340 $ |
| 100+ | 3,020 $ |
| 250+ | 2,880 $ |
| 500+ | 2,730 $ |
| 1000+ | 2,580 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,72 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB24N60M6
Code Commande84AC2846
Gamme de produitMDmesh M6
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id-
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd-
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation-
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max-
Product RangeMDmesh M6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
-
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits