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STB26N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 20A, 150DEG C, 169W
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB26N60M2
Code Commande26AH0136
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
5 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,510 $ |
| 10+ | 4,290 $ |
| 25+ | 4,120 $ |
| 50+ | 3,940 $ |
| 100+ | 3,780 $ |
| 250+ | 3,720 $ |
| 500+ | 3,660 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,51 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB26N60M2
Code Commande26AH0136
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd169W
Power Dissipation169W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
169W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
169W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STB26N60M2
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits