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STB28N65M2
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, 170W, TO-263
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB28N65M2
Code Commande07AH6948
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
2 686 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,620 $ |
| 10+ | 5,580 $ |
| 25+ | 5,170 $ |
| 50+ | 4,760 $ |
| 100+ | 4,350 $ |
| 250+ | 4,170 $ |
| 500+ | 3,980 $ |
| 1000+ | 3,740 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,62 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB28N65M2
Code Commande07AH6948
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation170W
Power Dissipation Pd170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STB28N65M2
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits