Imprimer la page
STB30NF10T4
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 102 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,780 $ |
| 10+ | 1,990 $ |
| 25+ | 1,840 $ |
| 50+ | 1,700 $ |
| 100+ | 1,550 $ |
| 250+ | 1,420 $ |
| 500+ | 1,280 $ |
| 1000+ | 1,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,78 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB30NF10T4
Code Commande33R1116
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Drain Source On State Resistance0.038ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd115W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STB30NF10T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET with low gate charge. The device is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. It has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
115W
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits