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STB42N60M2-EP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB42N60M2-EP
Code Commande69AH2675
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,590 $ |
| 10+ | 6,050 $ |
| 25+ | 6,040 $ |
| 50+ | 6,040 $ |
| 100+ | 5,580 $ |
| 250+ | 5,580 $ |
| 500+ | 5,580 $ |
| 1000+ | 5,580 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,59 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB42N60M2-EP
Code Commande69AH2675
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id34A
On Resistance Rds(on)0.076ohm
Drain Source On State Resistance0.076ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.076ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.076ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit