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STB45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB45N65M5
Code Commande45AC7527
Gamme de produitMDmesh V
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,310 $ |
| 10+ | 11,740 $ |
| 25+ | 11,050 $ |
| 50+ | 10,360 $ |
| 100+ | 9,850 $ |
| 250+ | 9,570 $ |
| 500+ | 9,440 $ |
| 1000+ | 9,140 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
14,31 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB45N65M5
Code Commande45AC7527
Gamme de produitMDmesh V
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.067ohm
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd210W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.067ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
210W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STB45N65M5
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit