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STB6N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 4.5A, 150DEG C, 60W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB6N60M2
Code Commande69AH2678
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
1 068 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,620 $ |
| 10+ | 2,240 $ |
| 25+ | 2,120 $ |
| 50+ | 1,980 $ |
| 100+ | 1,850 $ |
| 250+ | 1,760 $ |
| 500+ | 1,640 $ |
| 1000+ | 1,440 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,62 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB6N60M2
Code Commande69AH2678
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)1.06ohm
Drain Source On State Resistance1.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
1.06ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
1.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits