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STB75NF20
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
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| 1+ | 3,730 $ |
| 10+ | 3,730 $ |
| 25+ | 3,730 $ |
| 50+ | 3,730 $ |
| 100+ | 3,730 $ |
| 250+ | 3,730 $ |
| 500+ | 3,730 $ |
| 1000+ | 3,730 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB75NF20
Code Commande33R1133
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd190W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STB75NF20 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge
- 100% Avalanche tested
- -55 to 150°C Operating junction temperature
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
37A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
190W
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit