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STB80N20M5
MOSFET, N-CH, 200V, 61A, TO-262
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB80N20M5
Code Commande51AC9539
Gamme de produitMdmesh V
Fiche technique
872 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,890 $ |
| 10+ | 6,160 $ |
| 25+ | 5,630 $ |
| 50+ | 5,160 $ |
| 100+ | 4,900 $ |
| 250+ | 4,660 $ |
| 500+ | 4,510 $ |
| 1000+ | 4,370 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
8,89 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB80N20M5
Code Commande51AC9539
Gamme de produitMdmesh V
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id61A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd190W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMdmesh V
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-262
Power Dissipation Pd
190W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Mdmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits