Imprimer la page
STD100N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD100N10F7Copie
Code Commande
Mise en bobine98Y2468
Bandes découpées98Y2468
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Votre numéro de pièce
2 989 En Stock
Vous en voulez davantage ?
25 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
2964 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,370 $ | 4,37 $ |
| Total Prix | 4,37 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,370 $ |
| 10+ | 3,020 $ |
| 25+ | 2,800 $ |
| 50+ | 2,580 $ |
| 100+ | 2,350 $ |
| 250+ | 2,200 $ |
| 500+ | 2,030 $ |
| 1000+ | 1,960 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD100N10F7Copie
Code Commande
Mise en bobine98Y2468
Bandes découpées98Y2468
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation120W
Power Dissipation Pd120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VII
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 100V, 80A N-channel STripFET™ F7 power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Suitable for switching applications
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VII
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD100N10F7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit