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STD10P6F6
MOSFET, P-CH, -60V, -10A, TO-252-3
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD10P6F6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète38AH9210
Bobine complète86AK6458
Mise en bobine98Y2467RL
Bandes découpées98Y2467
Gamme de produitDeepGATE STripFET VI
Votre numéro de pièce
39 649 En Stock
39 649 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,200 $ | 2,20 $ |
| Total Prix | 2,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,200 $ |
| 50+ | 1,450 $ |
| 100+ | 1,020 $ |
| 250+ | 0,924 $ |
| 500+ | 0,831 $ |
| 1000+ | 0,771 $ |
| 2500+ | 0,755 $ |
| 5000+ | 0,740 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,724 $ |
| 7500+ | 0,664 $ |
| 12500+ | 0,644 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD10P6F6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète38AH9210
Bobine complète86AK6458
Mise en bobine98Y2467RL
Bandes découpées98Y2467
Gamme de produitDeepGATE STripFET VI
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd35W
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 60V, 10A P-channel STripFET™ F6 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Suitable for switching applications
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
35W
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD10P6F6
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit