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STD2NK90ZT4
MOSFET, N-CH, 900V, 2.1A, TO-252
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD2NK90ZT4
Code Commande33X1195
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation Pd70W
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 900V, 2.1A N-channel SuperMESH™ power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Extremely high dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Optimization of the well-established PowerMESH™
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
70W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit