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STD36P4LLF6
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 36 A, 0.0175 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD36P4LLF6
Code Commande07AH6962
Gamme de produitSTripFET F6
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,010 $ |
| 10+ | 2,090 $ |
| 25+ | 1,910 $ |
| 50+ | 1,730 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
| 250+ | 1,420 $ |
| 500+ | 1,320 $ |
| 1000+ | 1,250 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,01 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD36P4LLF6
Code Commande07AH6962
Gamme de produitSTripFET F6
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.0175ohm
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0175ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit