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STD4NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD4NK100Z
Code Commande07AH6963
Gamme de produitSuperMESH
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,100 $ |
| 10+ | 2,100 $ |
| 25+ | 2,100 $ |
| 50+ | 1,920 $ |
| 100+ | 1,920 $ |
| 250+ | 1,920 $ |
| 500+ | 1,780 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,10 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD4NK100Z
Code Commande07AH6963
Gamme de produitSuperMESH
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance5.6ohm
On Resistance Rds(on)5.6ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation Pd90W
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperMESH
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
5.6ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
90W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperMESH
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
5.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit