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STD6N95K5
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,270 $ |
| 10+ | 2,260 $ |
| 100+ | 2,080 $ |
| 500+ | 2,080 $ |
| 1000+ | 2,070 $ |
| 2500+ | 2,070 $ |
| 5000+ | 1,910 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD6N95K5
Code Commande06X0850
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
Power Dissipation Pd90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 950V, 9A N-channel MDmesh™ K5 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- 950V worldwide best RDS(on)
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Low on-resistance, ultra-low gate charge for applications of superior power density/high efficiency
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
950V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit