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STD96N3LLH6
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD96N3LLH6
Code Commande69AH2698
Gamme de produitSTripFET VI DeepGATE
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Fiche technique
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,440 $ |
| 10+ | 1,630 $ |
| 25+ | 1,480 $ |
| 50+ | 1,320 $ |
| 100+ | 1,170 $ |
| 250+ | 1,070 $ |
| 500+ | 0,966 $ |
| 1000+ | 0,903 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD96N3LLH6
Code Commande69AH2698
Gamme de produitSTripFET VI DeepGATE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4200µohm
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd70W
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.
- Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
- 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
- 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
- 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- DPAK package
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
70W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET VI DeepGATE
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits