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STF100N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 45 A, 0.0068 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF100N10F7
Code Commande45AC7552
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,490 $ |
| 10+ | 2,600 $ |
| 100+ | 2,440 $ |
| 500+ | 2,350 $ |
| 1000+ | 2,270 $ |
| 2500+ | 2,200 $ |
| 5000+ | 2,170 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,49 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF100N10F7
Code Commande45AC7552
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id45A
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd30W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VII
Qualification-
Aperçu du produit
Applications
Medical
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
30W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VII
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STF100N10F7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit