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STGWA30M65DF2
IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA30M65DF2
Code Commande52Y7737
Fiche technique
Continuous Collector Current60A
DC Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
Power Dissipation258W
Power Dissipation Pd258W
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
Spécifications techniques
Continuous Collector Current
60A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Power Dissipation
258W
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
60A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.55V
Power Dissipation Pd
258W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit