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STH12N120K5-2
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH12N120K5-2
Code Commande45AC7611
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
Options de conditionnement
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,440 $ |
| 10+ | 16,800 $ |
| 25+ | 16,160 $ |
| 50+ | 15,520 $ |
| 100+ | 14,880 $ |
| 250+ | 14,350 $ |
| 500+ | 13,810 $ |
| 1000+ | 13,280 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
21,44 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH12N120K5-2
Code Commande45AC7611
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.62ohm
Drain Source On State Resistance0.62ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd250W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.62ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.62ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
250W
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit