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STH260N6F6-2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 A, 0.0024 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH260N6F6-2
Code Commande
Mise en bobine94T3416
Bandes découpées94T3416
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,620 $ |
| 10+ | 5,510 $ |
| 25+ | 5,190 $ |
| 50+ | 4,860 $ |
| 100+ | 4,540 $ |
| 250+ | 4,350 $ |
| 500+ | 4,160 $ |
| 1000+ | 4,040 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH260N6F6-2
Code Commande
Mise en bobine94T3416
Bandes découpées94T3416
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0016ohm
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0016ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Power Dissipation Pd
300W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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